FDMJ1028N
FDMJ1028N
Modelo do Produto:
FDMJ1028N
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15708 Pieces
Ficha de dados:
FDMJ1028N.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-MicroFET (2x2)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:90 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power - Max:800mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WFDFN Exposed Pad
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDMJ1028N
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.2A
Email:[email protected]

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