FDMT800100DC
FDMT800100DC
Modelo do Produto:
FDMT800100DC
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 24A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18064 Pieces
Ficha de dados:
FDMT800100DC.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PQFN (8x8)
Série:Dual Cool™, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.95 mOhm @ 24A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.2W (Ta), 156W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:FDMT800100DCDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:FDMT800100DC
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7835pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:111nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 24A (Ta), 162A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (8x8)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 24A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 162A (Tc)
Email:[email protected]

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