FDP025N06
Modelo do Produto:
FDP025N06
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15997 Pieces
Ficha de dados:
1.FDP025N06.pdf2.FDP025N06.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max):395W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FDP025N06
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14885pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:226nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 120A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-220AB
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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