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FDV302P_NB8V001
- Modelo do Produto:
- FDV302P_NB8V001
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19381 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.FDV302P_NB8V001.pdf2.FDV302P_NB8V001.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para FDV302P_NB8V001, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para FDV302P_NB8V001 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-23 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 10 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 350mW (Ta) |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes: | FDV302P_NB8V001CT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | FDV302P_NB8V001 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 11pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.31nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 25V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 120mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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