FDV302P_NB8V001
Modelo do Produto:
FDV302P_NB8V001
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19381 Pieces
Ficha de dados:
1.FDV302P_NB8V001.pdf2.FDV302P_NB8V001.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):350mW (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:FDV302P_NB8V001CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDV302P_NB8V001
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.31nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:120mA (Ta)
Email:[email protected]

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