FDW258P
Modelo do Produto:
FDW258P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15188 Pieces
Ficha de dados:
FDW258P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSSOP
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:11 mOhm @ 9A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.3W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDW258P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5049pF @ 5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:73nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 12V 9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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