FJV3101RMTF
Modelo do Produto:
FJV3101RMTF
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14409 Pieces
Ficha de dados:
1.FJV3101RMTF.pdf2.FJV3101RMTF.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):4.7k
Resistor - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:FJV3101RMTF-ND
FJV3101RMTFTR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:FJV3101RMTF
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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