FQB34N20LTM
FQB34N20LTM
Modelo do Produto:
FQB34N20LTM
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13211 Pieces
Ficha de dados:
FQB34N20LTM.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:75 mOhm @ 15.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.13W (Ta), 180W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:FQB34N20LTMDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Número de peça do fabricante:FQB34N20LTM
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 31A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:31A (Tc)
Email:[email protected]

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