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FQD1N60CTM
- Modelo do Produto:
- FQD1N60CTM
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18262 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.FQD1N60CTM.pdf2.FQD1N60CTM.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para FQD1N60CTM, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para FQD1N60CTM por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | D-Pak |
| Série: | QFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 11.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | FQD1N60CTM-ND FQD1N60CTMTR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 6 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | FQD1N60CTM |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 170pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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