Comprar FQD4N25TM_WS com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | D-Pak |
Série: | QFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Outros nomes: | FQD4N25TM_WS-ND FQD4N25TM_WSTR FQD4N25TMWS |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 6 Weeks |
Número de peça do fabricante: | FQD4N25TM_WS |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.6nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 250V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 250V |
Descrição: | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
Email: | [email protected] |