FQP13N10L
Modelo do Produto:
FQP13N10L
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16837 Pieces
Ficha de dados:
1.FQP13N10L.pdf2.FQP13N10L.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:180 mOhm @ 6.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):65W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FQP13N10L
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 12.8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12.8A (Tc)
Email:[email protected]

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