FQP9N25CTSTU
Modelo do Produto:
FQP9N25CTSTU
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15934 Pieces
Ficha de dados:
1.FQP9N25CTSTU.pdf2.FQP9N25CTSTU.pdf3.FQP9N25CTSTU.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:430 mOhm @ 4.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):74W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FQP9N25CTSTU
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 250V 8.8A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):250V
Descrição:MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.8A (Tc)
Email:[email protected]

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