FQPF11P06
FQPF11P06
Modelo do Produto:
FQPF11P06
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17661 Pieces
Ficha de dados:
FQPF11P06.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220F
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:175 mOhm @ 4.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):30W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:FQPF11P06-ND
FQPF11P06FS
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FQPF11P06
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:550pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 8.6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.6A (Tc)
Email:[email protected]

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