FQPF5N80
FQPF5N80
Modelo do Produto:
FQPF5N80
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14850 Pieces
Ficha de dados:
FQPF5N80.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220F
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.6 Ohm @ 1.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):47W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FQPF5N80
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 2.8A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.8A (Tc)
Email:[email protected]

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