FQPF70N10
FQPF70N10
Modelo do Produto:
FQPF70N10
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17599 Pieces
Ficha de dados:
FQPF70N10.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220F
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):62W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FQPF70N10
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3300pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 35A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220F
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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