FQU13N06LTU_WS
FQU13N06LTU_WS
Modelo do Produto:
FQU13N06LTU_WS
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18301 Pieces
Ficha de dados:
FQU13N06LTU_WS.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:115 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 28W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FQU13N06LTU_WS
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6.4nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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