FQU2N50BTU_WS
FQU2N50BTU_WS
Modelo do Produto:
FQU2N50BTU_WS
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12655 Pieces
Ficha de dados:
FQU2N50BTU_WS.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.7V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.3 Ohm @ 800mA, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 30W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FQU2N50BTU_WS
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:230pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 500V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

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