GP1M008A025CG
GP1M008A025CG
Modelo do Produto:
GP1M008A025CG
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13957 Pieces
Ficha de dados:
GP1M008A025CG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-Pak
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:600 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):52W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:GP1M008A025CG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:423pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 250V 8A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss):250V
Descrição:MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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