Comprar GP1M011A050FSH com BYCHPS
Compre com garantia
GP1M011A050FSH
- Modelo do Produto:
- GP1M011A050FSH
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrição:
- MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13984 Pieces
- Ficha de dados:
- GP1M011A050FSH.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para GP1M011A050FSH, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para GP1M011A050FSH por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220F |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 700 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 51.4W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | GP1M011A050FSH |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1546pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 500V 10A (Tc) 51.4W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 500V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para GP1M011A050FSH
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M015A050H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 14A TO220 | inquérito |
 |
GP1M012A060FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 12A TO220F | inquérito |
|
GP1M011A050H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 11A TO220 | inquérito |
|
GP1M011A050FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 11A TO220F | inquérito |
 |
GP1M016A025PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 250V 16A IPAK | inquérito |
|
GP1M010A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F | inquérito |
|
GP1M011A050HS | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 10A TO220 | inquérito |
 |
GP1M010A080N | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN | inquérito |
|
GP1M010A060H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | inquérito |
|
GP1M010A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220 | inquérito |
|
GP1M015A050FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 14A TO220F | inquérito |
Latest Notícias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers