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HGT1S10N120BNST
- Modelo do Produto:
- HGT1S10N120BNST
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrição:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15141 Pieces
- Ficha de dados:
- HGT1S10N120BNST.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para HGT1S10N120BNST, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para HGT1S10N120BNST por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.7V @ 15V, 10A |
| Condição de teste: | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 23ns/165ns |
| Alternando Energia: | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-263AB |
| Série: | - |
| Power - Max: | 298W |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes: | HGT1S10N120BNSTDKR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 11 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | HGT1S10N120BNST |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | NPT |
| portão de carga: | 100nC |
| Descrição expandida: | IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB |
| Descrição: | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 80A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 35A |
| Email: | [email protected] |
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