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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > HGTP7N60A4D
HGTP7N60A4D
Modelo do Produto:
HGTP7N60A4D
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18511 Pieces
Ficha de dados:
1.HGTP7N60A4D.pdf2.HGTP7N60A4D.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.7V @ 15V, 7A
Condição de teste:390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:11ns/100ns
Alternando Energia:55µJ (on), 60µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):34ns
Power - Max:125W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:HGTP7N60A4D_NL
HGTP7N60A4D_NL-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:HGTP7N60A4D
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:37nC
Descrição expandida:IGBT 600V 34A 125W Through Hole TO-220AB
Descrição:IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Atual - Collector Pulsada (ICM):56A
Atual - Collector (Ic) (Max):34A
Email:[email protected]

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