HTNFET-T
HTNFET-T
Modelo do Produto:
HTNFET-T
Fabricante:
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
16138 Pieces
Ficha de dados:
HTNFET-T.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 100µA
Vgs (Max):10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-Power Tab
Série:HTMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:400 mOhm @ 100mA, 5V
Dissipação de energia (Max):50W (Tj)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:4-SIP
Outros nomes:342-1091
HTNFET-T-ND
HTNFETT
Temperatura de operação:-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:HTNFET-T
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 28V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.3nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 4-Power Tab
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição:MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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