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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > IMD23T108
IMD23T108
Modelo do Produto:
IMD23T108
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12342 Pieces
Ficha de dados:
IMD23T108.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMT6
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k, 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):1k, 10k
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-74, SOT-457
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IMD23T108
Frequência - Transição:200MHz, 250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Descrição:TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

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