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IMN10T108
- Modelo do Produto:
- IMN10T108
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12931 Pieces
- Ficha de dados:
- IMN10T108.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IMN10T108, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IMN10T108 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.2V @ 100mA |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 80V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-SMD |
| Velocidade: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 4ns |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-74, SOT-457 |
| Outros nomes: | IMN10T108TR |
| Temperatura de Operação - Junção: | 150°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IMN10T108 |
| Descrição expandida: | Diode Array 3 Independent Standard 80V 100mA Surface Mount SC-74, SOT-457 |
| Tipo Diode: | Standard |
| configuração de diodo: | 3 Independent |
| Descrição: | DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 100nA @ 70V |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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