IPB085N06L G
IPB085N06L G
Modelo do Produto:
IPB085N06L G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17804 Pieces
Ficha de dados:
IPB085N06L G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 125µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO263-3-2
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.2 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):188W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IPB085N06LGINDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IPB085N06L G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3500pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:104nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 80A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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