IPB260N06N3GATMA1
IPB260N06N3GATMA1
Modelo do Produto:
IPB260N06N3GATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14909 Pieces
Ficha de dados:
IPB260N06N3GATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 11µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO263-2
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:25.7 mOhm @ 27A, 10V
Dissipação de energia (Max):36W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IPB260N06N3 G
IPB260N06N3 G-ND
IPB260N06N3 GTR-ND
SP000453630
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IPB260N06N3GATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 27A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

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