Comprar IPB50N10S3L-16 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 60µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO263-3-2 |
Série: | OptiMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 15.4 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 100W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Outros nomes: | IPB50N10S3L-16-ND IPB50N10S3L-16INTR IPB50N10S3L16 IPB50N10S3L16ATMA1 SP000386183 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
Número de peça do fabricante: | IPB50N10S3L-16 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4180pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 100V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
Descrição: | MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |