IPB80P03P4L07ATMA1
IPB80P03P4L07ATMA1
Modelo do Produto:
IPB80P03P4L07ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15456 Pieces
Ficha de dados:
IPB80P03P4L07ATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 130µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO263-3-2
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.9 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):88W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IPB80P03P4L-07
IPB80P03P4L-07-ND
SP000396288
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:IPB80P03P4L07ATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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