IPC60N04S4L06ATMA1
Modelo do Produto:
IPC60N04S4L06ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 8TDSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18190 Pieces
Ficha de dados:
IPC60N04S4L06ATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 30µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TDSON-8-23
Série:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.6 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):63W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:SP001161210
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IPC60N04S4L06ATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 60A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-23
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 8TDSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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