Comprar IPD50P04P4L-11 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 85µA |
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Vgs (Max): | ±16V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO252-3-313 |
Série: | OptiMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 10.6 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 58W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Outros nomes: | IPD50P04P4L-11TR IPD50P04P4L11 IPD50P04P4L11ATMA1 SP000671156 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 26 Weeks |
Número de peça do fabricante: | IPD50P04P4L-11 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3900pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 59nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | P-Channel 40V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313 |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 40V |
Descrição: | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |