IPD50R800CE
IPD50R800CE
Modelo do Produto:
IPD50R800CE
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N CH 500V 5A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16992 Pieces
Ficha de dados:
IPD50R800CE.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 130µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:800 mOhm @ 1.5A, 13V
Dissipação de energia (Max):40W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:IPD50R800CEDR
IPD50R800CEDR-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IPD50R800CE
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:N-Channel 500V 5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET N CH 500V 5A TO252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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