Comprar IPD60R2K0C6BTMA1 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 60µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO252-3 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2 Ohm @ 760mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 22.3W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | IPD60R2K0C6 IPD60R2K0C6TR IPD60R2K0C6TR-ND SP000733132 SP000799132 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IPD60R2K0C6BTMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 140pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 2.4A (Tc) 22.3W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |