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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPD60R380E6ATMA2
IPD60R380E6ATMA2
IPD60R380E6ATMA2
Modelo do Produto:
IPD60R380E6ATMA2
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Não aplicável / Não aplicável
Quantidade disponível:
14278 Pieces
Ficha de dados:
IPD60R380E6ATMA2.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 300µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipação de energia (Max):83W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Número de peça do fabricante:IPD60R380E6ATMA2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10.6A (Tc)
Email:[email protected]

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