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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPD60R385CPATMA1
IPD60R385CPATMA1
IPD60R385CPATMA1
Modelo do Produto:
IPD60R385CPATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18411 Pieces
Ficha de dados:
IPD60R385CPATMA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 340µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3
Série:CoolMOS™ CP
RDS ON (Max) @ Id, VGS:385 mOhm @ 5.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):83W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:IPD60R385CPATMA1TR
SP000680638
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IPD60R385CPATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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