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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPD65R380E6BTMA1
IPD65R380E6BTMA1
IPD65R380E6BTMA1
Modelo do Produto:
IPD65R380E6BTMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15793 Pieces
Ficha de dados:
IPD65R380E6BTMA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 320µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):83W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:IPD65R380E6
IPD65R380E6-ND
IPD65R380E6BTMA1TR
IPD65R380E6TR-ND
SP000795278
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IPD65R380E6BTMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10.6A (Tc)
Email:[email protected]

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