IPD90N04S3H4ATMA1
IPD90N04S3H4ATMA1
Modelo do Produto:
IPD90N04S3H4ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13799 Pieces
Ficha de dados:
IPD90N04S3H4ATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 65µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.3 mOhm @ 90A, 10V
Dissipação de energia (Max):115W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:IPD90N04S3-H4
IPD90N04S3-H4-ND
SP000415584
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IPD90N04S3H4ATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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