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IPI65R110CFDXKSA1
- Modelo do Produto:
- IPI65R110CFDXKSA1
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14421 Pieces
- Ficha de dados:
- IPI65R110CFDXKSA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IPI65R110CFDXKSA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IPI65R110CFDXKSA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1.3mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO262-3 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 277.8W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes: | IPI65R110CFD IPI65R110CFD-ND SP000896398 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IPI65R110CFDXKSA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 31.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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