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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPI80N06S4L07AKSA2
IPI80N06S4L07AKSA2
IPI80N06S4L07AKSA2
Modelo do Produto:
IPI80N06S4L07AKSA2
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12091 Pieces
Ficha de dados:
IPI80N06S4L07AKSA2.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 40µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO262-3-1
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):79W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:SP001028678
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:IPI80N06S4L07AKSA2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5680pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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