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IPL65R660E6AUMA1
- Modelo do Produto:
- IPL65R660E6AUMA1
- Descrição:
- MOSFET N-CH 4VSON
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12825 Pieces
- Ficha de dados:
- IPL65R660E6AUMA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IPL65R660E6AUMA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IPL65R660E6AUMA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 200µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Thin-Pak (8x8) |
| Série: | CoolMOS™ E6 |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 63W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 4-PowerTSFN |
| Outros nomes: | SP000895212 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IPL65R660E6AUMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 650V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount Thin-Pak (8x8) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 4VSON |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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