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IPN60R3K4CEATMA1
- Modelo do Produto:
- IPN60R3K4CEATMA1
- Descrição:
- MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14111 Pieces
- Ficha de dados:
- IPN60R3K4CEATMA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IPN60R3K4CEATMA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IPN60R3K4CEATMA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 40µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-SOT223 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3.4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 5W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-261-4, TO-261AA |
| Outros nomes: | IPN60R3K4CEATMA1TR SP001434888 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IPN60R3K4CEATMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 93pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | Super Junction |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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