Comprar IPP054NE8NGHKSA2 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO-220-3 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 5.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 300W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Outros nomes: | IPP054NE8N G IPP054NE8N G-ND IPP054NE8NGX IPP054NE8NGXK SP000096462 SP000680804 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de peça do fabricante: | IPP054NE8NGHKSA2 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 12100pF @ 40V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 85V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 85V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 85V 100A TO-220 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |