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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPP60R600CPXKSA1
IPP60R600CPXKSA1
IPP60R600CPXKSA1
Modelo do Produto:
IPP60R600CPXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15670 Pieces
Ficha de dados:
IPP60R600CPXKSA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 220µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO-220-3
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:600 mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):60W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:IPP60R600CP
IPP60R600CP-ND
SP000405888
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IPP60R600CPXKSA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:550pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 6.1A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.1A (Tc)
Email:[email protected]

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