Comprar IPP80N06S3-05 com BYCHPS
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		| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 110µA | 
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO220-3-1 | 
| Série: | OptiMOS™ | 
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 5.4 mOhm @ 63A, 10V | 
| Dissipação de energia (Max): | 165W (Tc) | 
| Embalagem: | Tube | 
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 | 
| Outros nomes: | IPP80N06S3-05-ND IPP80N06S3-05IN IPP80N06S305X IPP80N06S305XK SP000102213 | 
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) | 
| Tipo de montagem: | Through Hole | 
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Número de peça do fabricante: | IPP80N06S3-05 | 
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 10760pF @ 25V | 
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 240nC @ 10V | 
| Tipo FET: | N-Channel | 
| Característica FET: | - | 
| Descrição expandida: | N-Channel 55V 80A (Tc) 165W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 | 
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 55V | 
| Descrição: | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | 
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |