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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPU60R1K4C6BKMA1
IPU60R1K4C6BKMA1
IPU60R1K4C6BKMA1
Modelo do Produto:
IPU60R1K4C6BKMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
Status sem chumbo / Status RoHS:
Não aplicável / Não aplicável
Quantidade disponível:
17662 Pieces
Ficha de dados:
IPU60R1K4C6BKMA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 90µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO251
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipação de energia (Max):28.4W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Número de peça do fabricante:IPU60R1K4C6BKMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.2A (Tc)
Email:[email protected]

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