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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRF3205PBF
IRF3205PBF
IRF3205PBF
Modelo do Produto:
IRF3205PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17784 Pieces
Ficha de dados:
IRF3205PBF.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 62A, 10V
Dissipação de energia (Max):200W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:*IRF3205PBF
64-0085PBF
64-0085PBF-ND
SP001559536
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:IRF3205PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3247pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:146nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição:MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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