Comprar IRF520NPBF com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220AB |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 200 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 48W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Outros nomes: | *IRF520NPBF SP001571310 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IRF520NPBF |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 330pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 9.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |