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IRF520N
- Modelo do Produto:
- IRF520N
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 17444 Pieces
- Ficha de dados:
- IRF520N.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IRF520N, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IRF520N por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220AB |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 200 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 48W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Outros nomes: | *IRF520N SP001571320 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IRF520N |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 330pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 9.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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