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IRF5810
- Modelo do Produto:
- IRF5810
- Descrição:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 12225 Pieces
- Ficha de dados:
- IRF5810.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IRF5810, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IRF5810 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-TSOP |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Power - Max: | 960mW |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IRF5810 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 16V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.9A |
| Email: | [email protected] |
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