IRF630NSPBF
IRF630NSPBF
Modelo do Produto:
IRF630NSPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18761 Pieces
Ficha de dados:
IRF630NSPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:300 mOhm @ 5.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):82W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:*IRF630NSPBF
SP001574794
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRF630NSPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:575pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.3A (Tc)
Email:[email protected]

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