IRF6645TRPBF
IRF6645TRPBF
Modelo do Produto:
IRF6645TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16266 Pieces
Ficha de dados:
IRF6645TRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.9V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ SJ
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:35 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.2W (Ta), 42W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric SJ
Outros nomes:IRF6645TRPBFTR
SP001562050
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IRF6645TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.7A (Ta), 25A (Tc)
Email:[email protected]

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