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IRF6665TR1PBF
- Modelo do Produto:
- IRF6665TR1PBF
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18654 Pieces
- Ficha de dados:
- IRF6665TR1PBF.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IRF6665TR1PBF, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IRF6665TR1PBF por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DIRECTFET™ SH |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 62 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DirectFET™ Isometric SH |
| Outros nomes: | IRF6665TR1PBFTR SP001564530 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IRF6665TR1PBF |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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